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絕緣層上矽分析及應用

一層磊晶（Epitaxial）矽層。最後，利用CMP 的方法將晶圓表面磨平，其主要的目的是除去因為氧離子. 植入時所造成的晶圓表面缺陷或是長晶過程中表面產生的雜質，以增加 ...

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