磊晶 的過程被稱為『2D-nucleation』,而. 最後磊晶層的結構會是內含3C-SiC結晶. 態的混合磊晶結構,如圖六所示。 解決上述問題的方法是將基板表面. 的角度些微傾斜3°到8°, ...
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