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TWI534306B - 磊晶晶圓的製造方法及磊晶晶圓 - Google Patents

本發明是有關於一種磊晶晶圓(epitaxial wafer)的製造方法及磊晶晶圓，尤其是有關於一種製造抑制磊晶缺陷的形成且具有優異的吸除(gettering)能力的磊晶晶圓的方法。

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