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磊晶成長
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矽晶圓的製造方法 - 台塑勝高科技
拋光後晶圓在磊晶爐中加熱至1,200℃左右,爐內加入三氯矽烷(SiHCl3)的氣體,在晶圓表面利用氣相成長法長出單結晶矽薄膜。 磊晶晶圓是一種可以對應需要結晶完全性或不同 ...
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