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磊晶成長
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https://www.tiri.narl.org.tw/Files/Doc/Publication/InstTdy/120/01200620.pdf
磊晶氧化物薄膜的製成
的成長控制條件,可生長成高品質的單晶薄膜或超. 晶格。 分子束磊晶(molecular beam epitaxy) 技術通常. 簡稱MBE。在超高真空下,蒸鍍物質分子的平均.
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