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第三代半導體-碳化矽功率半導體元件的崛起-工程技術

李教授的團隊克服碳化矽材料擴散係數較差的缺點，成功地利用多層磊晶技術和離子佈植技術，植入P型柱於金氧半場效電晶體內部；也克服了4吋機臺在製程上的 ...

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