你即將離開本站

並前往https://zhuanlan.zhihu.com/p/63376728

氮化镓VS碳化硅谁是最具潜力第三代宽禁带半导体材料？

Cree和Rohm公司开发了SiC MOSFET产品，电压等级从650V~1700V，单芯片电流超过50A，并开发出1200V/300A、1700V/225A的全碳化硅功率模块产品。 氮化镓（GaN ...

確定！ 回上一頁

查詢 「碳化矽氮化鎵」的人也找了：

  1. 碳化矽氮化鎵概念股
    2.
  2. 碳化矽氮化鎵比較
    3.
  3. 碳化矽用途
    4.
  4. 碳化矽長晶
    5.
  5. 碳化矽廠商
    6.
  6. sic碳化矽股票
    7.
  7. 太極第三代半導體
    8.
  8. 碳化矽基板廠商
    9.