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「新秀」氮化鎵嘗試「上車」，第三代半導體迎來爆發式增長

雖然氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）同屬於寬禁帶半導體材料，相較已經發展十多年的碳化矽而言，GaN 功率器件是個不折不扣的「新秀」。它既擁有類似SiC 在寬禁帶材料方面 ...

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