你即將離開本站

並前往https://kknews.cc/zh-tw/entertainment/gq2y6vl.html

氮化鎵VS碳化矽誰是最具潛力第三代寬禁帶半導體材料？

Cree和Rohm公司開發了SiC MOSFET產品，電壓等級從650V~1700V，單晶片電流超過50A，並開發出1200V/300A、1700V/225A的全碳化矽功率模塊產品。 ... 氮化鎵 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「碳化矽氮化鎵」的人也找了：

  1. 碳化矽氮化鎵概念股
    2.
  2. 碳化矽氮化鎵比較
    3.
  3. 碳化矽用途
    4.
  4. 碳化矽長晶
    5.
  5. 碳化矽廠商
    6.
  6. sic碳化矽股票
    7.
  7. 太極第三代半導體
    8.
  8. 碳化矽基板廠商
    9.