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台积电GaN性能提升50%；斯达SiC项目结顶... - 电子工程专辑

为了生产高度可靠的E0 系列SiC MOSFET 功率模块，利普思使用了高级Si3N4 AMB 基板，该基板结合了最佳的机械稳健性和出色的散热性能，具有极高的功率密度。

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