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砷化鎵 (GaAs)可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數小,能引入深能級雜質、電子有效質量小,能帶結構特殊,可作磊晶片。 砷化鎵(GaAs)材料,具有高頻、低雜訊、高 ...
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