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TWI638064B - 藉由原子層沉積形成氮化矽之方法

在低於或等於約275℃之一溫度下藉由原子層沉積在一基板上形成氮化矽。 ... 然後，矽前驅物可被引入至反應器中、與氮單層接觸，且過量之未反應矽前驅物被自反應器排出以 ...

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