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鎳基高強度暨高深寬比微模仁陣列之研製Design and ...

(c)將矽晶片置於75. ℃，重量百分濃度25%的KOH溶液中進行異方性濕式矽蝕刻150 分鐘，其蝕刻. 率為每分鐘0.8μm-1μm，在蝕刻過程中KOH蝕刻液對二氧化矽與矽的選擇比約.

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