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蝕刻技術

要蝕刻, 氧化膜的蝕刻速率. 是0.40μm/min, 氧化膜對矽的蝕刻選擇比為25比1, 如果. 三分鐘後停止蝕刻, 試問會有多少下層的Si被蝕刻掉? min/. 016.0 m r. Si μ. = ⇒.

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