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新型次微米級氣泡產生裝置之設計與製作及生成氣泡之觀測

其標準的蝕刻製程如圖2-4所示，將微影製程後之晶圓先去除二氧化矽保護層，再由蝕刻液蝕刻矽基板，直到蝕刻液接觸到蝕刻終止層為止。 圖2-4蝕刻製程示意圖.

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