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TWI672360B - 具有針對兩種晶格方向低選擇比（Si（100）

本發明係針對特殊之矽蝕刻劑組合物同時具有對兩種晶格方向低選擇比(Si(100)/Si(111))及低二氧化矽蝕刻率，適用於半導體製程，其包含以蝕刻劑組合物總重量計， ...

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