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第三章多孔矽蝕刻實驗方法與設備

調配蝕刻溶液，將酒精為溶. 劑氫氟酸為溶質以HF:C2H5OH=1:3 配置，配置蝕刻溶液會產生揮發. 氣體，故必須在抽風櫃下進行調製。蝕刻後矽晶片形成多孔矽結構進. 行電鍍製程 ...

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