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突破10奈米製程物理極限電晶體結構/材料加速變革 - 新電子

其中，該技術由於製程使用矽晶圓的不同，主要可分為兩類，首先是絕緣層覆矽鰭式電晶體(FinFET on SOI)與塊狀基板式鰭式電晶體(Bulk FinFET)，圖4為兩種 ...

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