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氮化鎵功率電晶體的基礎 - EPC Co

利用現有矽製程設備，在. 矽基板上加上一薄層氮化鋁(Aluminum Ni- tride/AlN)，用於隔離元件結構和基板。 如果產品的額定電壓為200V及200V以下，基. 板和有源元件之間的 ...

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