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TWI638064B - 藉由原子層沉積形成氮化矽之方法 - Google ...

在低於或等於約275℃之一溫度下藉由原子層沉積在一基板上形成氮化矽。 ... 隨著IC之大小持續減小且形貌變得越來越具挑戰性，SiN之形成變得越來越複雜。

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