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犧牲氧化層目的
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納米製程:如何支撐摩爾定律? - 人人焦點
此外,對晶片設計中的電晶體閘極長度、臨界電壓、閘極氧化層厚度和偏壓條件, ... 犧牲氧化層以及隨後的拋光、接腳氧化和去除氮化層等製程環節能夠儘量 ...
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「犧牲氧化層目的」
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