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熱阻量測
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應用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環繞閘極電晶體技術
然而,晶片製程不斷微縮,使得EUV技術面臨重大挑戰,因而帶動新的沉積、蝕刻與量測技術需求。 EUV光阻劑顯影後,必須透過一連串的中介層(又稱為轉移層與 ...
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