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行政院國家科學委員會專題研究計畫期中進度報告 - 國立成功 ...

用相同的砷化鎵/砷化鋁鎵（GaAs/AlGaAs）系統來製作半導體分佈布拉格反射 ... 因為其晶格常數與活性層氮化鎵材料匹配，熱膨脹係數也相近（GaN 為5.6×.

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