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Transphorm 氮化鎵技術率先達成短路穩健里程碑

這項極具突破性成就為全體業界創下重要的里程碑，也證明Transphorm 的氮化鎵能夠滿足由矽絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT) 或碳化矽(SiC) 金屬氧化物半導體場效 ...

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