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氮化鎵半導體
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高功率及微波功率應用之氮化鎵半導體元件製作與特性研究
氮化鎵 系列金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率電晶體對於下一代高效率和高壓功率元件之應用具有極大的吸引力。由於介電層材料在此金屬-絕緣層-半導體電晶體中同時作為元件 ...
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