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第一章緒論1-1:氮化鎵材料的簡介與發展: GaN 晶體的成長

在電性方面，GaN 的高崩潰電壓與飽和電流，. 用來製作元件有高速、低雜訊且可在高溫下操作的特性，這些優於傳統半導體材. 料矽(Si)的特性，使其成為眾所矚目的研究課題。

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