... 氮化鎵(GaN)根據其特性,成為了符合此趨勢的新一代材料。 氮化鎵為寬能隙(WBG, wide band gap)半導體材料,與碳化矽(SiC)同屬第三代半導體材料。與傳統矽材料相比,能 ...
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