化學氣相沉積或乾式蝕刻則會運用許多反應性極強的氣體,其區別如下:干蝕刻:利用 ... 速率SiO + 6HF H SiF + 2H O 2 2 6 2 氮化矽的濕式蝕刻• 熱(150 到200 C) 磷酸 ...
確定! 回上一頁