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國內唯一同時提供碳化矽及氮化鎵等關鍵材料 - 理財周刊

氮化鎵則主要應用於「600伏特至1000伏特」工作電壓區間。對應SiC、GaN基材材料特性所發展出的功率半導體晶片，如：MOSFET(金屬氧化物半導體場效電 ...

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