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第八章離子佈植

達成所需的接面深度. •擁有高直流電壓的電極. 離子束. 後加速電. 力高達60. kV. 抑制電力 ... n+ 源極/汲極 p+ 源極/汲極. 閘極氧化層. 26. 氧離子佈植. 帶有晶格損傷的矽.

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