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【情報】製造1nm晶片的EUV光刻機：ASML已完成設計 - 哈啦區

據稱在當前台積電、三星的7nm、5nm製造中已經導入了NA=0.33的EUV曝光設備，2nm之後需要更高解析度的曝光設備，也就是NA=0.55。

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