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晶體缺陷
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中山大學突破6吋晶體創全國學研單位之先
第三代半導體材料「碳化矽」(SiC)晶體是發展電動車、6G通訊、國防、航 ... 生長晶體的長晶爐、存放材料的容器坩堝、熱場設計、生長參數及晶體缺陷 ...
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