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局部缺陷區域對於低溫多晶矽薄膜電晶體之特性影響

本論文係利用Technology Computer-Aided Design (TCAD)搭配電性量測結果，建立雙閘極多晶矽薄膜電晶體(Poly-Si TFT)之元件物理模型，並以此模型進行局部缺陷之相關電性 ...

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