你即將離開本站

並前往https://patents.google.com/patent/TWI577840B/zh

TWI577840B - 多晶矽鑄錠與來自其的矽晶圓 - Google Patents

然而，由於雜質累積與差排(dislocation)的產生(增加)，隨著鑄錠(ingot)成長越來越高，結晶品質退化。由於這些缺陷，再加上晶體性質受到晶粒外型與晶格位向影響，因而在 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「晶粒成長」的人也找了：

  1. 晶粒成長機制
    2.
  2. 晶粒成長驅動力
    3.
  3. 回復再結晶晶粒成長
    4.
  4. 螺旋差排定義
    5.
  5. 晶粒大小機械性質
    6.
  6. 滑移系統計算
    7.
  7. 共軛滑移系統
    8.
  8. 差排種類
    9.