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4H 碳化硅衬底及外延层缺陷术语

随着4H-SiC外延层厚度的增大，沿[11-20]方向的长度（L）呈现规律性的增大，长度L ... BPD 是4H-SiC 衬底中位于基晶面内的一种常见一维结晶缺陷。

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