本研究利用摻雜鎵之奈米氧化鋅(Ga-doped ZnO,GZO)靶材以射頻磁控濺鍍法成長. 透明導電GZO 薄膜,實驗項目共包括:(一)奈米氧化鋅(ZnO)與氧化鎵(Ga2O3)粉末混合.
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