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半導體製程技術 - 聯合大學

主要在佈植後快速加熱退火(RTA)製程. ▫ 快速昇溫, 100 到150 °C/sec (水平高溫爐昇溫速率約15 °C/min). ▫ 減少熱積存和較簡單的製程控制. ▫ 單晶圓快速加熱化學氣相 ...

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