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成長溫度對InN 磊晶薄膜顯微結構之影響

判定缺陷的種類與行為。在g·b = 0 中，g 為在雙. 電子束繞射條件下所選定之繞射條件，b 為晶體缺. 陷之位移向量，對差排而言則為布格向量(Burgers.

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