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TWI408264B - 低差排密度氮化鎵（GaN）之生長方法

本發明係關於在基板上生長低差排密度GaN的方法，更具體而言，係關於材料之橫向及垂直生長速率僅 ... 最終可重覆此兩生長步驟，藉此引發TDs的多重彎折及差排環的生成。

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