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差排環
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單晶碳化矽在高溫矽離子輻照下之微結構變化
在所有實驗中只有溫度在600℃以上時,才有差排環的形成。差排環隨著溫度的升高,尺寸大致上也隨之增大,而密度則逐漸減少。分別比較高劑量與低劑量,高劑量之差排環尺寸 ...
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「差排環」
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