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跳脫製程技術極限思維3D IC再續摩爾定律 - 新通訊

可以看出，在2010年，動態隨機存取記憶體(DRAM)產品雖然進入了3x奈米的製程，也最早引進3D IC的必備技術--矽穿孔(Through Silicon Via, TSV)。

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