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如下圖FET 電路所示，場效電晶體參數:臨界電壓2.0

由於VDS =0.9V >(VGS −Vt ) = 0.8V，因此MOSFET 元件操作在飽和區. (Saturation. Region)。 Page 7. Question 7. 下列MOSFET電路中，若FET 操作在飽和模式 ...

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