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控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體

與JFET不同是空乏型MOSFET也具有增強型特性（當VGS >0 時），所以空乏型MOSFET 之夾止飽和區輸出電流公式又可表示為：. 增強型MOSFET 之特性於下一章節討論。 8-2 D-MOSFET ...

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