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乾式蝕刻製程在不同型機台下之40奈米非揮發性記憶體(NAND ...

本文主要研究一種半導體NAND flash 40奈米淺溝槽蝕刻製程，且有關於一種利用反應性離子蝕刻（reactive ion etching）之Applied蝕刻設備，在不同機型的蝕刻機台下經由 ...

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