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“拯救”SiC的几大新技术

碳化硅功率器件工作温度可达600℃以上，是同等硅基器件的4倍，可以承受更加极端的工作 ... 其实，从碳化硅晶圆尺寸的变化就可以看出技术一直在进步。

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