本計畫擬整合主持人研究團隊已建立之垂直結構GaN-基LED (簡稱VLED)包括金屬基板工程與表面粗化製程技術,進行以微晶粒VLED 為單元之高電壓(12~200 V)及高功率(1~5 W) ...
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