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半導體第三章

72. 砷化鎵的電子飄移速度<ul><li>因為砷化鎵的能帶圖中，導電帶的部分有兩個極小值。較低能谷電子的有效質量為0.067m 0 而較高能谷為0.55m o 。 </li></ul>電場小時 ...

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