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半導體 製程順序
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水平爐管個別原理
薄膜沈積機構發生順序:長晶→晶粒成長→晶粒聚結→縫道填補→沈積. 膜成長。 ... 結構會影響其本身的電性,因此退火在半導體製程上的應用,主要在恢復或改善.
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