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質子佈植應用於長波長1.31µm VCSEL 之研製(2/2) 計畫編號

長波長1550 nm 面射型雷射（VCSEL）晶片的下DBR 和InGaAsAs 的 ... 以415℃，30 秒的條件在氮氣環境下進行金屬與半導體的退火. (anneal)處理。

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