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成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心

LTPS LDMOSFET） ， 並以步階式離子植入與準分子雷射退火技術提升其元件特性， 最後利用半導體參數分析儀、 高壓量測系統，量測低溫多晶矽功率元件之直流特性與崩潰 ...

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